고성능 1,200V SIC 모듈은 1,400V 이상으로 테스트되며 고주파 및 고출력 환경에서 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다.
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Semiq는 QSIC ™ 가족의 최신 멤버를 발표했습니다. 풀 브리지 구성의 QSIC 1,200V SIC MOSFET 모듈은 스위칭 손실이 낮으며 효율 향상, 열 소산 감소 및 더 작은 히트 싱크의 활용을 가능하게합니다.
풀 브리지 토폴로지의 QSIC 모듈은 1,400V 이상의 높은 분해 전압을 가지므로 온도 범위에서 RDS (ON)의 무시할만한 변화와 함께 TJ=175 정도까지 고온에서 작동 할 수 있습니다. 고성능 세라믹으로 만든 Semiq의 모듈은 특히 고주파 및 고출력 설정에서 뛰어난 성능, 더 높은 전력 밀도 및 더 컴팩트 한 설계를 제공합니다. 이들은 태양열 인버터, 전기 자동차 충전기, DC-DC 컨버터 및 전원 공급 장치와 같이 양방향 전력 흐름 또는 더 넓은 범위의 제어가 필요한 도전에 이상적입니다.
태양 광 인버터 응용 분야에 대한 Semiq의 전문 지식을 통해 설계자는 최대 98%의 효율성을 달성하고보다 컴팩트 한 디자인을 만들 수 있습니다. 열 손실을 줄이고 열 안정성을 향상 시키며 5 천 5 백만 시간 이상의 HTRB/H3TRB 테스트로 지원되는 신뢰성을 향상시킵니다. 1,200V MOSFET은 DC-DC 컨버터의 효율을 최적화하고 신뢰성을 향상 시키며 전력 소산을 줄입니다.
Semiq는 웨이퍼 레벨에서 게이트 번 인 테스트를 수행하여 각 모듈에 대한 정상 게이트 임계 값 전압 및 고품질 게이트 산화물을 보장합니다. 화상 테스트 외에도 게이트 응력, 고온 역 바이어스 (HTRB) 배수 응력 및 높은 습도, 고전압, 고온 (H3TRB)과 같은 다른 응력 테스트는 필요한 자동차 및 산업 등급 품질 표준을 달성하고 외부 고장 속도를 줄이는 데 사용됩니다. 이 장치는 단락 등급을 높이고 모든 구성 요소는 1,400V 이상으로 테스트되었습니다.
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SEMIQ는 2 월 25 일부터 2024 년까지 캘리포니아 Long Beach의 APEC (Applied Power Electronics Conference)에서 SOT -227, Half-Bridge 및 Full-Bridge 패키지에 QSIC 제품 라인을 소개 할 예정입니다. Semiq는 20MΩ, 40mΩ 및 80mΩ로 제공되는 Sic MOSFETS를 갖춘 새로운 1,200V 모듈로 1,200V 모듈을 제공합니다.